3a肖特基二極管信息我要推廣到這里
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PCF肖特基——P15V50SP 在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF較低 在相同的額定VR、VF和IF下,電流密度較大 在相同的EPI和晶片尺寸下,漏電電流較少 在較高的反向電壓下,開關(guān)速度更快 電子元器件技02月12日
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0.05元二極管B5819W參數(shù) 產(chǎn)品簡介 PD功率:250mW VRM電壓 :40V IO電流:1A VF大正向電壓 :0.9v Test Condition IF(A)電流 :3A IR大峰值反向電流 :1uA Test Condition VR電壓:40V trr反..08月18日
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低壓mosPRM012N08D4,MOS管驅(qū)動 跟雙極性晶體管相比,一般認為使MOS管導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓高于一定的值,就可以了。這個很容易做到,但是,我們還需要速度。 在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到04月27日
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中國肖特基二極管市場占有率格局與發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)研報告?2020~2025年 ------------------------------------- 節(jié)假日24小時咨詢熱線:139 2163 9537(兼并微信)(隨時來電有折扣) 【報告編號..09月04日
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肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大,像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體,其反向偏壓額定耐壓最高只到50V,而反向漏電流值為正溫度特性,容易隨著溫度升高而急遽變大..09月04日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月04日
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SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,它是一種熱載..09月04日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月04日
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肖特基二極管作為一種獨特的半導(dǎo)體器件,在PCB電路設(shè)計與SMT貼片生產(chǎn)制造中具有廣泛的應(yīng)用前景。通過深入了解肖特基二極管的特性、優(yōu)勢和應(yīng)用場景,我們可以更好地利用這一器件,提高電路性能..09月04日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面: 1)由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載..09月04日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面: 1)由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載..09月04日
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肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有..09月04日
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肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有..09月04日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月04日
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肖特基二極管封裝肖特基二極管分為有引線和表面安裝(貼片式)兩種封裝形式。1、引線式封裝這種肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管(..09月04日
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肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有..09月04日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面: 1)由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載..09月04日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月04日
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SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC)電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月04日
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SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面: 1)由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。 2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載..09月04日
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