氮化硅陶瓷絕緣環(huán)<br>

氮化硅是在人工條件下合成的化合物雖早在140多年前就直接合成了氮化硅，但當(dāng)時僅僅作為一種穩(wěn)定的“難熔”的氮化物留在人們的記憶中二次大戰(zhàn)后，科技的迅速發(fā)展，迫切需要耐高溫、高硬度、高強(qiáng)度、抗腐蝕的材料經(jīng)過長期的努力，直至1955年氮化硅才被重視，七十年代中期才真正制得了、低成本，有廣泛重要用途的氮化硅陶瓷制品開發(fā)過程為何如此艱難，這是因?yàn)榈璺垠w和氮化硅陶瓷制品之間的性能和功能相差甚遠(yuǎn)，沒有一個嚴(yán)格而精細(xì)的對氮化硅粉體再加工過程，是得不到具有性能的氮化硅陶瓷制品的沒有氮化硅陶瓷就沒有氮化硅如今的重要地位<br>

氮化硅極耐高溫，強(qiáng)度一直可以維持到1200℃的高溫而不下降，受熱后不會熔成融體，一直到1900℃才會分解，并有驚人的耐化學(xué)腐蝕性能，能耐幾乎所有的無機(jī)酸和30%以下的燒堿溶液，也能耐很多有機(jī)酸的腐蝕；同時又是一種電絕緣材料
氮化硅與水幾乎不發(fā)生作用；在濃強(qiáng)酸溶液中緩慢水解生成銨鹽和二氧化硅；易溶于氫氟酸，與稀酸不起作用<br>

熱導(dǎo)率為16.7W/(m·K)在很寬的溫度范圍內(nèi)氮化硅都是一種具有一定的熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)、彈性模量較高的高強(qiáng)度硬陶瓷<br>

相對分子質(zhì)量140.28，灰色、白色或灰白色<br>

熱膨脹的大小依賴于離子間勢阱的不對稱程度,CaO含量越多,為了保持電荷平衡,形成的氧空位濃度就越高,造成離子間勢阱不對稱程度增加,致使熱膨脹系數(shù)增大文獻(xiàn)〔13〕介紹了CaO的添加量對氧化鋯熱膨脹行為的影響<br>

耐熱，在常壓下，Si3N4沒有熔點(diǎn)氮化硅具有耐磨，耐熱性，用作蒸汽噴嘴，在800℃的鍋爐工作半年后無明顯損壞，其他耐熱蝕合金噴嘴在同樣條件下只能使用1-2個月<br>

氮化硅陶瓷可做高溫絕緣材料，其性能指標(biāo)的優(yōu)劣主要取決于合成方式與純度，材料內(nèi)未被氮化的游離硅，在制備中帶入的堿金屬、堿土金屬、鐵、鈦、鎳等雜志，均可惡化氮化硅陶瓷的電性能，一般氮化硅陶瓷在室溫下、在干燥介質(zhì)中的比電阻為1015～1016歐姆，介電常數(shù)是9.4～9.5，在高溫下，氮化硅陶瓷仍保持較高的比電阻值，隨著工藝條件的提高，氮化硅可以進(jìn)入常用電介質(zhì)行列<br>

圖 為涂層和基體組成的三層復(fù)合梁的三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)示意圖， 其撓度與載荷的關(guān)系在理論上為 拉伸試樣示意圖Fig tensiletest 型應(yīng)力，并且三層復(fù)合梁中性軸的位置為 來確定應(yīng)力強(qiáng)度因子的相對值 分別代表涂層和基體，下標(biāo) 合梁中性軸距涂層表面距離利用試驗(yàn)得到的載荷—施力點(diǎn)位移曲線的線性段（彈性段），通過式（2）和 式（3）可求涂層的彈性模量<br>
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