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在光電互補(bǔ)的太陽(yáng)能路燈中，當(dāng)蓄電池或光伏電池輸出電壓較低時(shí)，逆變器內(nèi)部需配置升壓電路，升壓可以使用開(kāi)關(guān)電源升壓也時(shí)以使用直流充電泵原理升壓。逆變器使用輸出變壓器形式升壓，即逆變器電IE與蓄電池或光伏電池陣列電壓相匹配，逆變器輸出較低的交流電壓，再經(jīng)工頻變壓器升壓送入輸電線路。需要說(shuō)明的是，不論是變壓器還是電子電路升壓，都要損失一部分能量。佳逆變器工作是直流輸人電壓與輸電線路所需要的電壓相匹配，直流電力只經(jīng)過(guò)一層逆變環(huán)節(jié)，以變換環(huán)節(jié)的損耗。一般來(lái)說(shuō)逆變器的效率在90%以上。逆變環(huán)節(jié)損耗的能量轉(zhuǎn)換為功率管、變壓器的熱形式能量，該熱量對(duì)逆變器的運(yùn)行是不利的，威脅裝置的，要使用散熱器、風(fēng)扇等將此熱量裝置以外。逆變損耗通常包括二部分：導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，MOSFET管開(kāi)關(guān)較高，導(dǎo)通阻抗較大，由其構(gòu)成的逆變器多工作在幾十到上百千赫茲下；而IGBT則導(dǎo)通壓降相對(duì)較小，開(kāi)關(guān)損耗較大，開(kāi)關(guān)在幾千到幾十千赫茲之間一般選擇十千赫茲以下。開(kāi)關(guān)并非開(kāi)關(guān)，當(dāng)其開(kāi)通中電流有一上升，管子端電壓有一下降，電壓與電流交叉的損耗就是開(kāi)通損耗，關(guān)斷損耗為電壓電流相反變化方向的交叉損耗。逆變器損耗主要是要開(kāi)關(guān)損耗，新銦的諧振型開(kāi)關(guān)逆變器，在電壓或電流過(guò)零點(diǎn)處實(shí)施開(kāi)通或關(guān)斷，從而可以開(kāi)關(guān)損耗。逆變器在額定負(fù)載下應(yīng)能夠可靠地啟動(dòng)。逆變器保護(hù)功能應(yīng)具有：輸出短路保護(hù)、輸出過(guò)電流保護(hù)、輸出過(guò)電壓保護(hù)、輸出欠電壓保護(hù)、輸出缺相保護(hù)、功率電路超溫保護(hù)等。例如，當(dāng)傳感器檢測(cè)到輸出有短路時(shí)，控制電路立即關(guān)閉功率管的驅(qū)動(dòng)從而關(guān)斷功率管的輸出，實(shí)現(xiàn)對(duì)逆變器的保護(hù)。

電源控制器的組成及工作原理，硬件結(jié)構(gòu)，太陽(yáng)能路燈智能控制硬件結(jié)構(gòu)，該以單片機(jī)為核心，電路主要由電壓采集電路、負(fù)載輸出控制與檢測(cè)電路、LED顯示電路及鍵盤(pán)電路等部分組成。電壓采集電路包括太陽(yáng)能電池板和蓄電池電壓采集，用于太陽(yáng)能光線強(qiáng)弱的識(shí)別及蓄電池電壓的獲取。單片機(jī)的P3口的兩位作為鍵盤(pán)輸入口，用于工作參數(shù)的設(shè)置。系列的單片機(jī)，采用RISC型CPU內(nèi)核，兼容普通8051指令采集，片內(nèi)容含有10KBFlash程序存儲(chǔ)器，同時(shí)內(nèi)部還有看門(mén)口(WDT);片內(nèi)集成MAX810復(fù)位電路、8通道10位ADC以及4通道PWM;具有可編程的8級(jí)中斷源4種級(jí)，具有在片成(ISP)和在應(yīng)用編程(IAP)，片內(nèi)資源豐富、集成度高、使用方便。STC12C5410AD對(duì)的工作進(jìn)行實(shí)施調(diào)度，實(shí)現(xiàn)外部輸入?yún)?shù)的設(shè)置、蓄電池及負(fù)載的、工作狀態(tài)的指示等。于設(shè)置狀態(tài)的識(shí)別及參數(shù)設(shè)置;P3.5(T1)接F2鍵,該鍵用于自檢及"加1"功能,根據(jù)程序流程,分別實(shí)現(xiàn)不同功能。電壓采集與電池太陽(yáng)能電池板電壓采集,用于太陽(yáng)光線強(qiáng)弱的判斷,因而可以作為白天、黃昏的識(shí)別。同時(shí)本支持太陽(yáng)能板反接、反充保護(hù)。蓄電池電壓采集,用于蓄電池工作電壓的識(shí)別。利用微控制器的PWM功能,對(duì)蓄電池進(jìn)行充電。蓄電池開(kāi)路保護(hù):萬(wàn)一蓄電池開(kāi)路,若在太陽(yáng)能電池正常充電時(shí),控制器將關(guān)斷負(fù)載,以負(fù)載不被損傷,若在夜間或太陽(yáng)能電池不充電時(shí),控制器由于自身得不到電力,不會(huì)有任何。

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構(gòu)成薄膜光伏電池的材料有很多種，主要包括多晶桂、非晶硅其中以多晶硅薄膜光伏電池性能優(yōu)。非晶硅光伏電池的出現(xiàn)在很大程度上有可能解決現(xiàn)有光伏電池存在的根本問(wèn)題。然而后續(xù)的研究發(fā)現(xiàn)，單純用非晶硅薄膜制備的光伏電池受到光的照射以后，材料的性能會(huì)退化，電池的性能也將變差，特別是轉(zhuǎn)換效率將。因而，非晶硅光伏電池的轉(zhuǎn)換效率一般低于10%低成本的薄膜光伏電池是第二代光伏電池工業(yè)的發(fā)展方向。非晶硅薄膜光伏電池雖在成本上具有一定優(yōu)勢(shì)，但光疲勞效應(yīng)嚴(yán)重制約了其發(fā)展空間。因此，兼具兩者優(yōu)勢(shì)的多晶硅薄膜光伏電池成為主要方向。多晶硅薄膜電池的厚度隨著結(jié)構(gòu)的不同可以從幾微米到幾十微米，僅是晶體硅光伏電池厚度的1/100到1/10,省去了拉單晶或鑄多晶硅錠和切，磨.拋等諸多繁瑣工藝，且多晶硅材料儲(chǔ)景豐富.，技術(shù)成熟，便于實(shí)現(xiàn)大面積、全自動(dòng)化連續(xù)生產(chǎn)。多晶硅薄膜光伏電池能制備在廉價(jià)襯底上，成本遠(yuǎn)低于晶體硅光伏電池。而多晶體光伏電池實(shí)驗(yàn)室效率已達(dá)18%，遠(yuǎn)髙于非晶硅薄膜光伏電池的效率。新研究表明，多晶硅薄膜光伏電池的光電轉(zhuǎn)換效率正逐漸接近晶體硅光伏電池，并且具有光電性能的特點(diǎn)。第三代光伏電池，第三代光伏電池是21世紀(jì)以來(lái)的主要發(fā)展方向。由于太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)90%以上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)光伏電池的理論上限33%，表明光伏電池的性能還有很大的發(fā)展空間。接下來(lái)的幾十年，"第三代"高轉(zhuǎn)換效率的薄膜光伏電池將會(huì)長(zhǎng)足發(fā)展。第三代光伏電池的發(fā)展主要本著以提髙光電轉(zhuǎn)換效率和生產(chǎn)成本為根本目標(biāo)進(jìn)行研發(fā)。為了提髙效率，一是努力非光能耗,熱損耗;二是努力光子有效利用》三是努力光伏電池的內(nèi)阻。新型光伏電池類(lèi)型層出不窮，目前投入應(yīng)用的主要有疊層光伏電池、納米光伏電池、玻璃窗式光伏電池等結(jié)構(gòu)。

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