聯(lián)系人鮑經(jīng)理

電子灌封膠種類非常多，從材質(zhì)類型來分，目前人們使用多常見的主要為這3種：環(huán)氧樹脂灌封膠、有機(jī)硅灌封膠、聚氨酯灌封膠。但是單單這三種材質(zhì)灌封膠又可細(xì)分幾百種不同的種類及用途產(chǎn)品。電子灌封膠在未固化前屬于液體狀，具有流動性，膠液黏度，根據(jù)不同產(chǎn)品的材質(zhì)、性能、生產(chǎn)工藝的不同在其具體灌封膠操作中也有所區(qū)別。

電子元器件使用電子灌封膠時，要對環(huán)境的溫度、濕度及操作真空度、 溫度等影響因素做出嚴(yán)格的控制, 才能灌封成功率。一般來說，在灌封過程中, 要求環(huán)境溫度不得 25℃ , 否則, 所配膠料極易在短時間內(nèi)硫化拉絲, 給灌封操作帶來不便。填料預(yù)烘溫度控制在 100 ℃左右 , 預(yù)烘時間為4 h左右, 使填料內(nèi)的水分子充分蒸發(fā), 否則易造成由于水分子的殘存, 從而造成絕緣材料的表面導(dǎo)電率增加,體積電阻率降低, 介質(zhì)損耗增加, 導(dǎo)致零部件電器短路、 漏電或擊穿等問題。

光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復(fù)雜等特征，還需要相應(yīng)光刻機(jī)與之配對調(diào)試。一般情況下，一個芯片在制造過程中需要進(jìn)行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。

光刻光路的設(shè)計(jì)，有利于進(jìn)一步提升數(shù)值孔徑，隨著技術(shù)的發(fā)展，數(shù)值孔徑由0.35發(fā)展到大于1。相關(guān)技術(shù)的發(fā)展也對光刻膠及其配套產(chǎn)品的性能要求變得愈發(fā)嚴(yán)格。
工藝系數(shù)從0.8變到0.4，其數(shù)值與光刻膠的產(chǎn)品質(zhì)量有關(guān)。結(jié)合雙掩膜和雙刻蝕等技術(shù)，現(xiàn)有光刻技術(shù)使得我們能夠用193nm的激光完成10nm工藝的光刻。
為了實(shí)現(xiàn)7nm、5nm制程，傳統(tǒng)光刻技術(shù)遇到瓶頸