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即燒結(jié)型銀膜高導(dǎo)熱燒結(jié)銀膜高功率射頻器件燒結(jié)銀膜

更新時(shí)間:2025-09-30 [舉報(bào)]
IGBT應(yīng)用和有壓燒結(jié)銀工藝流程介紹

基于燒結(jié)銀材料的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)目前已經(jīng)逐漸開始應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體功率器件中,常規(guī)的方法是將燒結(jié)銀焊膏涂覆在基板上,置于鼓風(fēng)干燥箱中進(jìn)行加熱,使得有機(jī)溶劑大量揮發(fā),

然而上述方法因?yàn)闊Y(jié)銀中含有部分溶劑揮發(fā)需求一段時(shí)間;或者預(yù)烘和預(yù)壓都需要比較長(zhǎng)的時(shí)間,以上都制約了客戶的生產(chǎn)效率,幫助客戶提率成為了當(dāng)務(wù)之急。

2表面平整度非常好:公差為正負(fù)3%以內(nèi);
3 導(dǎo)電性能非常:體積電阻低至2.5*10-6歐姆.厘米;

標(biāo)簽:即燒結(jié)型銀膜即燒結(jié)型銀膜
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