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本發(fā)明可通過(guò)加料器升降驅(qū)動(dòng)裝置和加料器旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置將外部加料器移出工作位并旋開，進(jìn)而方便拆爐和清理，本發(fā)明的加料器升降驅(qū)動(dòng)裝置和加料器旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置配上工裝還可以吊裝主爐室的零部件；、本發(fā)明可通過(guò)副爐室升降驅(qū)動(dòng)裝置和副爐室旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)副爐室移動(dòng)，并在副爐室移取晶位的過(guò)程中，通過(guò)電動(dòng)接晶托防止晶棒掉落，安全；、當(dāng)不再繼續(xù)加料時(shí)，通過(guò)化料器升降驅(qū)動(dòng)裝置將外部化料器提升不干涉主爐室坩堝上升的位置，并通過(guò)化料器旋臂的旋轉(zhuǎn)旋開外部化料器，進(jìn)而方便拆爐和清理；、本發(fā)明通過(guò)減震裝置對(duì)下驅(qū)動(dòng)裝置進(jìn)行減震，使拉晶時(shí)下驅(qū)動(dòng)裝置不受外界震動(dòng)影響，進(jìn)而保晶棒質(zhì)量。

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半導(dǎo)體級(jí)直拉法的工藝控制\進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái),隨著新興產(chǎn)業(yè)的科技創(chuàng)新,半導(dǎo)體行業(yè)得到了的發(fā)展。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,尤其近幾年,大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),縮短該行業(yè)與世界水平的差距。目前雖然有許多新興材料來(lái)替代硅材料,但未來(lái)幾年可以預(yù)見(jiàn),硅材料由于其成熟的技術(shù)品質(zhì)和穩(wěn)定的物理化學(xué)性質(zhì),將會(huì)在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里是主流材料。硅單晶作為主要材料,應(yīng)用的領(lǐng)域也是相當(dāng)廣泛的。硅單晶是由多晶硅原料經(jīng)過(guò)物理變化,讓硅原子按照人為設(shè)定的方向進(jìn)行生長(zhǎng),終形成的。一般會(huì)采用直拉法進(jìn)行制備。晶圓的直徑越大,集成電路制造的成本將會(huì)越低,因此要求作為材料的硅單晶的直徑也要相應(yīng)的增大。這里面涉及到了一系列問(wèn)題。這篇論文主要討論的是通過(guò)對(duì)熱場(chǎng)的設(shè)計(jì),工藝的過(guò)程控制,減少位錯(cuò)的產(chǎn)生,以及通過(guò)化學(xué)腐蝕對(duì)位錯(cuò)進(jìn)行檢測(cè)的相關(guān)問(wèn)題。 分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶硅生長(zhǎng)爐的原理簡(jiǎn)介/我有更好的/，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過(guò)石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化；然后，對(duì)熔化的硅液稍做降溫，使之產(chǎn)生一定的過(guò)冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會(huì)在籽晶下端生長(zhǎng)；接著，控制籽晶生長(zhǎng)出一段長(zhǎng)為100mm左右、直徑為3～5mm的細(xì)頸，用于消除高溫溶液對(duì)籽晶的強(qiáng)烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯(cuò)，這個(gè)過(guò)程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個(gè)過(guò)程稱為放肩；接著，突然提高拉速進(jìn)行轉(zhuǎn)肩操作，