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昆山回收芝奇IC
碳基集成電路可能會(huì)成為一個(gè)重要的發(fā)展趨勢(shì)。技術(shù)創(chuàng)新。與以往相比,當(dāng)前硅基CMOS技術(shù)面臨著許多的重大挑戰(zhàn)。從28nm向22nm,甚至更小特征尺寸過(guò)渡時(shí),平面MOSFET被立體的FinFET所替代。
Vf≤1.2V,用萬(wàn)用表R×1k測(cè),實(shí)例:測(cè)量一只超快恢復(fù)二極管,其主要參數(shù)為:trr=35ns,IF=5A,IFSM=50A,VRM=700V。4nS,因此放電回路的阻抗,補(bǔ)充能量的效果也。